在所熟知的材料之中，鐵電柵場效應(yīng)晶體管(Ferroelectric gate field-effect transistors, FeFETs)做新一代閃存是很有前途的。

通常，鐵電體與一種存儲器類型——鐵電存儲器ferroelectric RAMs (FRAMs) 有關(guān)。 20世紀(jì)90年代后期，由幾家供應(yīng)商推出的FRAM是低功耗、非易失性設(shè)備，但它們也于小眾應(yīng)用，無法在130納米以上擴展。

FRAM繼續(xù)生產(chǎn)的同時，業(yè)界也在開發(fā)另一種類型的鐵電存儲器。 FeFET及其相關(guān)技術(shù)沒有使用傳統(tǒng)FRAM使用的材料，而是利用氧化鉿（也稱為鐵電鉿氧化物）的鐵電特性。（FeFET和邏輯晶體管FinFET不同）。

不過，就研發(fā)階段而論，FeFET本身并不是一個新器件。對于FeFET，其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)柵電介質(zhì)+Metal Gate(金屬柵)電極疊層技術(shù)，然后將柵極絕緣體改性成具有鐵電性質(zhì)。得到的FeFET晶體管具有相同的結(jié)構(gòu)，但是具有可擴展、低功率和非易失性等特性。從理論上講，應(yīng)該比當(dāng)前的嵌入式閃存更好。

圖1：FeFET制作流程。 來源：Ferroelectric Memory Co.

很多研究者正在研究不同類型的基于FeFET的非易失性器件。這聽起來是一個簡單的概念，但是有幾個關(guān)鍵挑戰(zhàn)，比如集成、數(shù)據(jù)保存、可靠性和成本等問題。 Forward Insights的分析師Greg Wong說：“FeFETs是很有前景，但目前為時尚早。”

當(dāng)然還有其他的挑戰(zhàn)。Ferroelectric Memory Co.（FMC）公司正在開發(fā)FeFET，其執(zhí)行官StefanMüller表示：“對于新興的存儲器技術(shù)，難的部分是要客戶確信你的解決方案真實可靠。”

盡管如此，FeFET及其相關(guān)技術(shù)正在蒸蒸日上，以下是其the most recent進(jìn)展：

•GlobalFoundries，FMC，NaMLab，Fraunhofer等已經(jīng)在22納米FD-SOI工藝中演示了一種嵌入式非易失性FeFET，取得了一個重要里程碑。 雖然沒有生產(chǎn)時間表，但該技術(shù)將在2019年獲得認(rèn)證。

•Imec正在開發(fā)一種方案，用鐵電鉿氧化物取代目前的DRAM材料，創(chuàng)造出一類新的非易失性DRAM類存儲器。 此外，Imec也正在開發(fā)類似于3D NAND的堆疊式鐵電器件。

•SK Hynix，Lam Research，Versum等近發(fā)表了一篇關(guān)于這類器件的開關(guān)機制的論文，其中一個小組稱之為1T-FeRAM和一個3D FeNAND。

•越來越多的團(tuán)隊正在探索下一代基于鐵電鉿氧化物的邏輯晶體管類型，通常被稱為負(fù)電容場效應(yīng)晶體管（NC-FET）。 NC-FET是3nm及以上晶體管的潛在技術(shù)。

3D FeNAND，鐵電DRAM和NC-FET還處于研發(fā)的早期階段，這些技術(shù)是否能夠投入生產(chǎn)還言之過早。 GlobalFoundries，FMC等企業(yè)是開發(fā)的FeFET的大試驗場。

如果它成功了，FeFET將進(jìn)入下一代內(nèi)存市場這個擁擠的領(lǐng)域。而其他新的存儲器類型，如3D XPoint、Magnetoresistive RAM、ReRAM甚至傳統(tǒng)的FRAM都正在出貨中。很大程度上，FeFET將與這些技術(shù)中的某些類型展開競爭。

下一代內(nèi)存競賽

多年來業(yè)界一直在開發(fā)下一代內(nèi)存類型，理由很簡單：傳統(tǒng)的內(nèi)存有各種各樣的限制。

例如，用作系統(tǒng)主存儲器的DRAM快速便宜，但DRAM在系統(tǒng)關(guān)閉電源時會丟失數(shù)據(jù)。

NAND和NOR閃存也很便宜。 Flash是非易失性的，即使在電源關(guān)閉的情況下也可以存儲數(shù)據(jù)。但是，在操作中，閃存會經(jīng)歷幾個讀/寫周期，這是一個緩慢的過程。

這正是新閃存適用的地方。一般來說，下一代存儲器類型是快速的、非易失性的并可以提供無限的續(xù)航能力。它們還提供可變位、無擦除的功能，使其成為DRAM和閃存的理想替代品。但是這些新的記憶也依賴于異域材料和復(fù)雜的轉(zhuǎn)換機制，所以他們需要花費更長的時間來開發(fā)。與此同時，行業(yè)不斷擴大DRAM和閃存規(guī)模，使得新的存儲器類型難以在市場上站穩(wěn)腳跟。

不過，行業(yè)內(nèi)一些新類型的內(nèi)存正在開始增加。這里有一個簡單的圖景：

•英特爾和美光正在推出基于相變存儲器的下一代3D XPoint技術(shù)。3D XPoint是一個獨立的器件，用于加速固態(tài)硬盤（SSD）的操作。

•Everspin和其他公司正在開發(fā)自旋轉(zhuǎn)矩磁阻RAM（STT-MRAM）的下一代MRAM技術(shù)。 STT-MRAM用于嵌入式或獨立應(yīng)用，利用電子自旋產(chǎn)生的磁性在芯片中提供非易失性。

•幾家供應(yīng)商和代工廠正在為獨立的嵌入式應(yīng)用開發(fā)電阻式RAM（ReRAM）。 在ReRAM中，將電壓施加到材料疊層上，從而記錄電阻變化產(chǎn)生的數(shù)據(jù)。

•賽普拉斯，富士通，松下，德州儀器和其他公司正在推出帶嵌入式FRAM的微控制器（MCU）。

圖2：自旋扭矩MRAM技術(shù)。 來源：Everspin

圖3：ReRAM。 來源：Adesto

FRAM被廣泛誤解，因為鐵電材料不是鐵磁性的。FMC公司的Müller解釋說：“鐵電存儲器僅使用電場來寫入應(yīng)用程序，沒有電流流過。所有其他新出現(xiàn)的存儲器，如電阻式RAM、相變存儲器和MRAM都是通過驅(qū)動存儲器單元的電流來寫入的。

FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。鐵電效應(yīng)是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，并達(dá)到一種穩(wěn)定狀態(tài)；當(dāng)電場從晶體移走后，中心原子會保持在原來的位置。這是由于晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達(dá)另一穩(wěn)定位置，因此FRAM保持?jǐn)?shù)據(jù)不需要電壓，也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關(guān)，所以FRAM存儲器的內(nèi)容不會受到外界條件（諸如磁場因素）的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性和無限的耐用性，非常適合各種嵌入式芯片應(yīng)用。

通常，FRAM由基于鋯鈦酸鉛（PZT）的薄層鐵電薄膜組成。 Cypress說，PZT中的原子在電場中改變極性，從而形成功率的二進(jìn)制開關(guān)。

圖4：傳統(tǒng)的FRAM 來源：Cypress

然而，FRAM有一些問題。穆勒說：“經(jīng)典的FRAM從材料的角度來看是異乎尋常的。由于只有平面電容器可以使用，傳統(tǒng)的鐵電薄膜不可擴展，FRAM還沒有超出130納米技術(shù)節(jié)點。這阻止了傳統(tǒng)FRAM被廣泛采用。”

由于FeFET與傳統(tǒng)FRAM不同，支持者希望解決這些問題。 幾年前，這個行業(yè)偶然有了一個新的發(fā)現(xiàn)，即氧化鉿中的鐵電性質(zhì)。 研究人員發(fā)現(xiàn)，在摻雜氧化鉿的過程中，晶相可以穩(wěn)定。 FMC公司稱：“在這個晶相中，氧化鉿的氧原子可以存在于兩個穩(wěn)定的位置，根據(jù)外加電場的極性向上或向下移動。”

氧化鉿是一種廣為人知的材料。 一段時間以來，芯片制造商已經(jīng)使用氧化鉿作為28nm及以上邏輯器件中的高k /金屬柵極結(jié)構(gòu)的柵極堆疊材料。 對于FeFET，主要是利用鐵電鉿氧化物的特性，而不是使用特殊材料創(chuàng)建新的器件結(jié)構(gòu)。

例如，在FMC的技術(shù)中，The ideal的是采用現(xiàn)有的晶體管。然后使用沉積工藝，將硅摻雜的氧化鉿材料沉積到晶體管的柵極疊層中，產(chǎn)生鐵電性質(zhì)。 FMC的方案也消除了對電容器的需求，使單晶體管存儲單元或1T-FeFET技術(shù)成為可能。

Müller說：“在FeFET中，permanent偶極子形成在本身內(nèi)柵介質(zhì)，將鐵電晶體管的閾值電壓分成兩個穩(wěn)定的狀態(tài)，因此，二進(jìn)制狀態(tài)可以存儲在FeFET中，就像在閃存單元中做的一樣。”

圖5：FeFET（n型）： 當(dāng)鐵電極化向下（左）時，電子反轉(zhuǎn)溝道區(qū)域，permanently 使FeFET進(jìn)入“導(dǎo)通”狀態(tài)。 如果極化點朝上（中間），則permanently積累，并且FeFET處于“關(guān)”狀態(tài)。 來源：FMC。

從理論上講，該技術(shù)是令人信服的。“每個晶體管都有氧化鉿。這是門電介質(zhì)。如果巧妙地做到這一點，并改性氧化鉿，實際上可以將邏輯晶體管轉(zhuǎn)換為非易失性晶體管，而這種晶體管在斷開電源時會失去一個狀態(tài)。斷電后仍然可以保持狀態(tài)。”

FeFET仍處于研發(fā)階段，尚未準(zhǔn)備好迎接黃金時代。 但如果確實有效的話，消費者在下一代的閃存世界中還有另一種選擇。 3D XPoint、FRAM、MRAM、ReRAM等也在備選之中。

那么，哪種新的內(nèi)存技術(shù)會占上風(fēng)呢？ 這并不清楚，因為沒有一個內(nèi)存可以處理所有的要求。 每個新的內(nèi)存類型都有它的特點。 新型存儲器正在從傳統(tǒng)的存儲器中蠶食一些市場。但總的來說，傳統(tǒng)的DRAM和NAND繼續(xù)在存儲器層次上占主導(dǎo)地位。

圖6：內(nèi)存金字塔 來源：Imec

嵌入式內(nèi)存戰(zhàn)爭

在儲存空間方面，新興戰(zhàn)場正在嵌入式市場形成。如今的MCU在同一芯片上集成了多個組件，如CPU、SRAM和嵌入式存儲器。 CPU負(fù)責(zé)執(zhí)行指令。芯片上集成了SRAM以存儲數(shù)據(jù)。

嵌入式存儲器（如EEPROM和NOR閃存）用于代碼存儲和其他功能。Objective Analysis分析師Jim Handy在近的一次采訪中表示：“用EEPROM，每一個字節(jié)都是兩個晶體管。每個字節(jié)都可以被擦除或重新編程。在每個模塊上（NOR閃存），我們有一個巨大的晶體管對所有字節(jié)進(jìn)行擦除。與每字節(jié)兩個晶體管相比，巨大的晶體管仍然可以節(jié)省大量的芯片空間。”

嵌入式閃存（eFlash）功能強大，非常適合工業(yè)應(yīng)用。 例如，汽車原始設(shè)備制造商有嚴(yán)格的要求，而NOR也符合這個要求。 聯(lián)華電子美國銷售副總裁Walter Ng表示：“汽車MCU是受性能驅(qū)動的，這也是eFlash的推動力。

NOR有一些限制，因為寫入速度很慢。 NOR從40nm移動到28nm也變得越來越昂貴。目前還不清楚NOR能否擴展到28nm以上。

下一代閃存的供應(yīng)商希望*。新興的RAM似乎提供了一個可能的解決方案。但是，汽車界如何接受這樣的技術(shù)還有待觀察。”

不管怎樣，嵌入式內(nèi)存市場正在升溫。幾家代工廠如GlobalFoundries，三星，臺積電和聯(lián)電正在開發(fā)嵌入式STT-MRAM。 另外，中芯，臺積電和聯(lián)電也正在開發(fā)嵌入式ReRAM。

FeFET是這個領(lǐng)域的新產(chǎn)物。 2009年，Fraunhofer，GlobalFoundries和NaMLab開始探索FeFET。 后來，FMC從NaMLab中獨立出來。

2014年，該小組展示了一個基于28nm CMOS工藝的簡單FeFET陣列。 然后，在近的IEDM會議上，GlobalFoundries，Fraunhofer，NaMLab和FMC提出了新的結(jié)果，使FeFET更接近商業(yè)化。

該小組在22納米FD-SOI工藝中展示了嵌入式FeFET。 GlobalFoundries技術(shù)官Gary Patton表示：“制造非常密集內(nèi)存的方法相對成本較低。”

根據(jù)IEDM論文，FeFET的單元尺寸小到0.025μm²。 該器件由一個32MB的陣列組成，其編程/擦除脈沖在4.2V的10ns范圍內(nèi)。 它具有高達(dá)300°C的保溫率。

初，FeFET的目標(biāo)是針對消費類應(yīng)用的嵌入式非易失性存儲器市場。“寫入速度比傳統(tǒng)的eFlash要快兩個數(shù)量級左右。 我們在10ns，regime在1ms至10ms。”FMC的穆勒說。

技術(shù)是有可能實現(xiàn)的。 Imec杰出的技術(shù)人員Jan Van Houdt說：“他們比其他人走得更遠(yuǎn)。 他們現(xiàn)在就推進(jìn)者嵌入式方案，這可能會起作用。”

在溫度要求更嚴(yán)格的汽車嵌入式存儲器領(lǐng)域，FeFET面臨著艱難的競爭。汽車OEM廠商確實正在研究STT-MRAM，因為該技術(shù)可以承受更高的溫度。

接下來呢？

就其本身而言, Imec 正在兩條方向上發(fā)展鐵電技術(shù)。一個包含一種新型的非易失性的類似 DRAM, 而另一個是獨立的存儲設(shè)備, 類似于3D NAND。

DRAM 是基于1T1C 的細(xì)胞結(jié)構(gòu)。在操作中, 當(dāng)晶體管關(guān)閉時, 電容器中的電荷會泄漏或放電。因此, 電容器必須每64毫秒刷新一次, 即使這會消耗系統(tǒng)中的電能。

在 DRAM 的垂直電容器結(jié)構(gòu)中, 有一個金屬-絕緣體-金屬的材料堆棧（metal-insulator-metal ：MIM）。在 MIM 堆棧中, 高K材料夾在兩個二氧化鋯層之間，所以這種電容器有時也被稱為 ZAZ 電容器。

Imec 和其他機構(gòu)都在探索把DRAM 中的二氧化鋯材料用鐵電氧化鉿代替，因為氧化鉿在鐵電狀態(tài)下類似于二氧化鋯。

利用以上技術(shù), Imec 正在研發(fā)具有非易失性的鐵電類似 DRAM 裝置, 它不需要進(jìn)行刷新操作。

當(dāng)然過程中不乏挑戰(zhàn)。對于DRAM，在任一節(jié)點上縮放垂直1T1C 電容器都很難。垂直1T1C 電容器的縮放在每個節(jié)點上都很難進(jìn)行。 因為鐵電類似 DRAM 裝置也具有1T1C 細(xì)胞結(jié)構(gòu)，所以這個操作不會變得簡單。

圖7： DRAM 路線圖 來源：Imec

另一種可能性是，該行業(yè)可以開發(fā)具有非易失性的單晶體管（1T）類DRAM器件。 這是一個無電容器的鐵電DRAM類器件。但即便使用鐵電鉿，鐵電DRAM也面臨一些挑戰(zhàn)。“問題是它有一些限制。DRAM幾乎擁有無限的續(xù)航能力。通過鐵電體這一點已經(jīng)得到證實。”Imec公司的Van Houdt說。

Imec也在追求類似3D NAND的鐵電器件技術(shù)。這種技術(shù)有時被稱為3D FeNAND，采用基于3D NAND的制造流程。

Van Houdt說：“它是低電壓和非易失性的。功耗也要低得多，因為它是一個高k材料，它會更快，所以要比NAND驅(qū)動更多的電流，這是NAND替代品。 當(dāng)然，要取代NAND幾乎是不可能的。”

所以，如果它可行，該器件可能會出于圖6的儲存器等級金字塔的某個地方。但是技術(shù)距離進(jìn)入商業(yè)市場還會有五到十年的時間。

不過還存在其他的問題。 例如，在IEDM的一篇論文中，SK Hynix，Lam及其它公司發(fā)現(xiàn)，由于外部問題，鐵電鉿材料的實際開關(guān)速度比預(yù)期的要慢。

SK Hynix，Lam及其它公司發(fā)現(xiàn)了一種控制硅摻雜氧化鉿晶粒尺寸的方法，這反過來又提高了材料組的速度。 “我們成功地證明了Si：HfO2是由具有Ec?0.5MV / cm的具有FE性質(zhì)的受控納米晶體組成的，它是普通Si：HfO2的一半，并且疇轉(zhuǎn)換速度比普通晶粒大小的Si：HfO2快三倍。”

什么是NC-FET？

鐵電鉿氧化物還有其他用途。一段時間以來，加州大學(xué)伯克利分校和其他一些學(xué)院繼續(xù)研究NC-FET，這是一款針對3nm或更高頻率的下一代邏輯晶體管。

像FeFET一樣，NC-FET不是一個新器件。在NC-FET中，現(xiàn)有晶體管中的柵極疊層用鐵電鉿氧化物進(jìn)行改性。與FeFET相比，NC-FET的膜厚略有不同。

應(yīng)用材料公司晶體管和互連集團(tuán)總監(jiān)Mike Chudzik說：“這就是樂趣所在，只是一個簡單的鐵電介質(zhì)交換。我會把它沿著FET隧道布置。”

NC-FET具有亞閾值斜率，應(yīng)用在低功耗領(lǐng)域。它將與隧道場效應(yīng)管（TFET）的競爭更多，TFET是一種針對3納米及以上的低功率晶體管。

“從根本上說，鐵電就像個電壓放大器。 你放一個電壓，因為它相互作用的方式，它就會放大電壓。 這就是為什么你得到這個增強的亞閾值斜率。”Chudzik說。

基于這項技術(shù), 加州大學(xué)伯克利分校正在探索將現(xiàn)今的 FinFET 和 FD SOI 技術(shù)擴展到2nm。他們將新的技術(shù)稱作NC-finFET 和NC-FD-SOI。

可以肯定的是, NC FET仍處于發(fā)展初期。Chudzik 說: “它的研究雖然充滿可能性和樂趣, 但也有很多懸而未決的問題。”

但從短期來看，FeFET是這些有前途的材料組合中可能先實現(xiàn)的技術(shù)，這反過來又可能在這個領(lǐng)域內(nèi)掀起一股研發(fā)浪潮。否則就像其他技術(shù)一樣，也會被晾在路邊。

來源：本文由半導(dǎo)體行業(yè)觀察翻譯自Semiengineering，謝謝。

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